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반도체 노광 공정 관련 국내 기업 노광 공정은 산화처리된 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려넣는 공정입니다. 먼저 웨이퍼 산화막 위에 감광액(Photo Regist)을 도포합니다. 그리고 회로 패턴이 그려져 있는 마스크(Photo Mask)를 대고 빛을 쏘여 줍니다. 그러면 빛을 받은 감광액 부분의 성질이 변화되는 데 이때 현상액을 뿌려 불필요한 감광액 부분을 제거해서 회로 패턴을 완성합니다. 보다 집적도가 높은 반도체를 제조하기 위해서는 노광 공정에서 보다 미세한 회로를 그릴 수 있어야 합니다. 그래서 7나노 이하의 반도체 공정에서는 극자외선을 사용하는 EUV 장비를 사용합니다. EUV 노광 장비는 네덜란드의 ASML이 독점적으로 생산하고 있는 고가의 장비입니다. 하지만 삼성전자나 대만의 TSMC가 미세공정을 위해 이 고가의 장비를 경쟁적..
반도체 제조 공정 반도체는 약 600~700 가지의 작업을 거쳐 만들어집니다. 이러한 공정을 크게는 전공정과 후공정으로 구분합니다. 전공정에는 웨이퍼, 산화, 노광, 식각, 이온주입, 증착, 금속배선, 연마 세정 등의 대표적인 공정이 포함되어 있습니다. 후공정에는 EDS, 패키징, 패키지 테스트 등의 대표적인 공정들이 포함되어 있습니다. 구분 설명 전공정 웨이퍼 위에 반도체 집적 회로를 각인하는 과정 후공정 웨이퍼 위에 각인된 반도체 집적 회로들을 낱개로 잘라 패키징하는 과정 그림에는 각 공정들이 정확히 구분되어 순서대로 진행되는 것처럼 표현 되어 있지만 실제의 공정은 더 복잡하고 경계가 모호합니다. 동일한 공정이 반복적으로 실행되기도 하고, 공정이 중첩되기도 하며, 상황에 따라 공정의 추가되거나 생략되기도 합니다. 여기..
반도체 산화 공정 관련 국내 기업 산화공정은 웨이퍼에 앏은 산화규소(SiO2) 막을 입히는 공정입니다. 산화막은 웨이퍼 위에 그려지는 배선이 합선이 되지 않도록 해주는 절연막 역할, 공정시 발생하는 불순물로부터 실리콘 표면을 보호하는 역할 등의 보호막 역할을 합니다. 산화막을 생성하는 방식은 열을 통한 열산화 방식, 플라즈마 보강 화학적 기상 증착 방식(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 방식 등 많은 방식이 있습니다. 이 중 800~1200°C의 고온에서 산화막을 생성시키는 열산화 방식이 가장 보편적으로 사용됩니다. 열산화 방식은 다시 건식산화와 습식산화로 나뉘는 데, 다음과 같은 특징이 있습니다. 건식산화(Dry Oxidation) 습식산화(Wet Oxidation) 순수한 산소(O₂)만을 사용 산소(O₂)와 수증기(H₂O) 산화막..

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