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반도체 세정 공정 관련 국내 기업 세정 공정은 반도체 제조 공정을 진행하면서 웨이퍼 표면에 남는 잔류물을 제거하는 공정입니다. 잔류물을 제거하지 않으면 최종적으로 완성된 반도체의 성능과 신뢰성에 치명적인 악영향을 끼치게 되므로 세정은 중요합니다. 세정 공정은 400~500개의 전체 공정 중 15% 정도를 차지하는 중요한 공정으로, 반도체 제조 공정이 정밀화 될 수록 세정의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 웨이퍼 위의 잔류물은 다양 하지만 크게 5가지 정도를 들 수 있습니다 노광 공정 후 남은 감광액(PR, Photo Regist) 찌꺼기 식각 공정 후 남은 산화막 찌꺼기 공중의 부유물이 내려 앉은 파티클 앞 공정에서 사용된 유기물과 금속성 잔류물 세정 공정 시 2차적으로 반응하여 붙어 있는 화학물질 세정 방식에는 습식 세정과 건식 세정이..
반도체 연마 공정 관련 국내 기업 웨이퍼 위에 증착된 박막들을 화학적 작용과 물리적 작용을 통해서 평탄화 또는 제거 해 주는 공정입니다. 연마 공정은 웨이퍼 위에 박막을 쌓아 올릴 때마다 진행되는 작업입니다. 쌓아 올린 박막에 따라 연마 목적과 연마 방법이 달라 집니다. 다음은 다양한 연마 목적과 연마 방법을 정리한 표입니다. 목적 구분 공정 구분 설명 기능구분 소자분리 STI CMP (Shallow Trench Isolation) - 각 소자간 분리를 위한 CMP - 가장 정밀한 평탄도 조절 필요 Oxide CMP 막질 평탄화 ILD CMP (Inter Layer Dielectric) - 소자영역과 금속배선간 절연막 평탄화 Full ILD CMP IMD CMP (Inter Metal Dielectric) - 금속배선 층간 절연막 평탄화..
반도체 금속배선 공정 관련 국내 기업 금속배선 공정은 웨이퍼 위에 각인된 회로 패턴의 전기가 통해야 하는 부분에 금속선을 연결하는 공정입니다. 금속으로는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 주로 사용합니다. 금속배선 공정은 앞에서 살펴본 또하나의 증착 공정에 해당합니다. 따라서 금속을 웨이퍼에 부착하는 방법은 앞서 살펴본 물리적 기상증착법(PVD)과 화학적 기상증착법(CVD) 등의 증착 방법을 그대로 사용합니다. 반도체 제조 공정이 미세화 됨에따라 요즘은 화학적 기상증착법(CVD)가 주로 사용됩니다. 국내 기업 중에 반도체 금속배선 공정 관련 사업을 하고 있는 기업은 다른 공정들에 비해 상대적으로 많지 않습니다. 다음은 반도체 금속배선 공정관련 사업을 하고 있는 국내 기업들입니다. 금속배선 공정 재료 관련 기업..

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