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반도체

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반도체 이온주입 공정 관련 국내 기업 이온주입 공정은 부도체인 실리콘 웨이퍼에 불순물을 주입해서 반도체적인 전기적 성질를 부여하는 공정입니다. 인(P), 비소(As), 붕소(B) 등의 원소를 이온화 해서 고 에너지 이온 빔으로 가속화 시켜 웨이퍼에 주입한 후 고온 열처리를 하여 웨이퍼 내부로 확산 시키는 방법으로 진행합니다. 국내 기업 중에 반도체 이온주입 공정 관련 사업을 하고 있는 기업은 다른 공정들에 비해 상대적으로 많지 않습니다. 다음은 반도체 이온주입 공정관련 사업을 하고 있는 국내 기업들입니다. 이온주입 공정 장비 관련 기업 기업명 관련 제품 기업 개요 이오테크닉스 - Annealing(열처리) 장비 - 신제품 개발을 위해 기술연구소를 설립. 동사는 2000년 8월 24일 코스닥시장에 상장함. - 해외시장개척을 위해 필리핀지사와 ..
반도체 식각 공정 관련 국내 기업 식각공정은 노광 공정을 통해 웨이퍼에 각인된 회로 패턴 중에 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분을 깎아 내는 공정입니다. 먼저 감광액이 없는 부분의 산화막을 깎아내고, 최종적으로는 감광액을 제거해서 회로 패턴의 산화막만 남도록 합니다. 이때 99.999% 이상의 고순도의 불화수소(HF)가 사용됩니다. 반도체 공정에서 가장 까다로운 공정으로 얼마나 얇고 깊게 깍아 낼 수 있는 지가 반도체 회사의 기술력을 판가름하는 중요한 기준이 되기도 합니다. 식각 방식은 습식 식각 방식과 건식 식각 방식이 있습니다. 반도체 제조 공정이 미세화 되면서 최근에는 건식 식각 방식이 대부분 사용되고 있습니다. 두 식각 방식의 특징은 다음과 같습니다. 습식 식각(Wet Etching) 건식 식각(Dry Etching) 용액의 화..
반도체 노광 공정 관련 국내 기업 노광 공정은 산화처리된 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려넣는 공정입니다. 먼저 웨이퍼 산화막 위에 감광액(Photo Regist)을 도포합니다. 그리고 회로 패턴이 그려져 있는 마스크(Photo Mask)를 대고 빛을 쏘여 줍니다. 그러면 빛을 받은 감광액 부분의 성질이 변화되는 데 이때 현상액을 뿌려 불필요한 감광액 부분을 제거해서 회로 패턴을 완성합니다. 보다 집적도가 높은 반도체를 제조하기 위해서는 노광 공정에서 보다 미세한 회로를 그릴 수 있어야 합니다. 그래서 7나노 이하의 반도체 공정에서는 극자외선을 사용하는 EUV 장비를 사용합니다. EUV 노광 장비는 네덜란드의 ASML이 독점적으로 생산하고 있는 고가의 장비입니다. 하지만 삼성전자나 대만의 TSMC가 미세공정을 위해 이 고가의 장비를 경쟁적..
반도체 제조 공정 반도체는 약 600~700 가지의 작업을 거쳐 만들어집니다. 이러한 공정을 크게는 전공정과 후공정으로 구분합니다. 전공정에는 웨이퍼, 산화, 노광, 식각, 이온주입, 증착, 금속배선, 연마 세정 등의 대표적인 공정이 포함되어 있습니다. 후공정에는 EDS, 패키징, 패키지 테스트 등의 대표적인 공정들이 포함되어 있습니다. 구분 설명 전공정 웨이퍼 위에 반도체 집적 회로를 각인하는 과정 후공정 웨이퍼 위에 각인된 반도체 집적 회로들을 낱개로 잘라 패키징하는 과정 그림에는 각 공정들이 정확히 구분되어 순서대로 진행되는 것처럼 표현 되어 있지만 실제의 공정은 더 복잡하고 경계가 모호합니다. 동일한 공정이 반복적으로 실행되기도 하고, 공정이 중첩되기도 하며, 상황에 따라 공정의 추가되거나 생략되기도 합니다. 여기..
반도체 산화 공정 관련 국내 기업 산화공정은 웨이퍼에 앏은 산화규소(SiO2) 막을 입히는 공정입니다. 산화막은 웨이퍼 위에 그려지는 배선이 합선이 되지 않도록 해주는 절연막 역할, 공정시 발생하는 불순물로부터 실리콘 표면을 보호하는 역할 등의 보호막 역할을 합니다. 산화막을 생성하는 방식은 열을 통한 열산화 방식, 플라즈마 보강 화학적 기상 증착 방식(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 방식 등 많은 방식이 있습니다. 이 중 800~1200°C의 고온에서 산화막을 생성시키는 열산화 방식이 가장 보편적으로 사용됩니다. 열산화 방식은 다시 건식산화와 습식산화로 나뉘는 데, 다음과 같은 특징이 있습니다. 건식산화(Dry Oxidation) 습식산화(Wet Oxidation) 순수한 산소(O₂)만을 사용 산소(O₂)와 수증기(H₂O) 산화막..
반도체 웨이퍼 공정 관련 국내 기업 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등으로 만든 얇은 판입니다. 이 얇은 판 위에 반도체 집적회로를 부착해서 반도체를 만듭니다. 웨이퍼를 만들기 위해서는 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹인 후, 이것을 굳혀서 실리콘 기둥을 만듭니다. 이것을 잉곳(Ingot)이라 부릅니다. 잉곳을 다이아몬드 톱으로 자르고, 표면을 연마액과 연마 장비로 매끄럽게 갈아내면 웨이퍼가 만들어 집니다. 이 상태의 웨이퍼를 베어 웨이퍼(Bare wafer)라 부릅니다. 국내 기업 중에 반도체 웨이퍼 공정 관련 사업을 하고 있는 기업은 다른 공정들에 비해 상대적으로 많지 않습니다. 다음은 반도체 웨이퍼 공정관련 사업을 하고 있는 국내 기업들입니다. 웨이퍼 공정 부품 관련 기업 기업명 관련 제품 기업 개요 티씨케이 - Cr..

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